就晶體而言，切割前應(yīng)對(duì)其定向，確定切割面，切割時(shí)首先將鋸片固定好，被切晶體材料固定好，切割速度選擇好，切割時(shí)不能不用切割液，它不僅能沖洗鋸片，而且還能減少由于切割發(fā)熱對(duì)晶體表面產(chǎn)生的損害，切割液還能沖刷切割區(qū)的晶體碎渣。
　　切割下來(lái)的晶片，要進(jìn)入下一道工序研磨。首先要用測(cè)厚儀分類測(cè)量晶片的厚度進(jìn)行分組，將厚度相近的晶片對(duì)稱粘在載料塊上。粘接前，要對(duì)晶片的周邊進(jìn)行倒角處理。粘片時(shí)載料塊溫度不易太高，只要固定臘溶化即可，晶片*好擺放在載料塊的*外圈，粘片要對(duì)稱，而且要把晶片下面的空氣排凈（用鐵塊壓實(shí)）。防止產(chǎn)生載料塊不轉(zhuǎn)和氣泡引發(fā)的碎片的現(xiàn)象。然后再用測(cè)厚儀測(cè)量粘在載料塊上的晶片厚度，并作好初始記錄。在研磨過(guò)程中適時(shí)測(cè)量減薄的厚度，直到工藝要求的公差尺寸為止。
　　使用研拋機(jī)前要將設(shè)備清洗干凈，同時(shí)為保證磨盤的平整度，每次使用前都要進(jìn)行研盤，研盤時(shí)將修整環(huán)和磨盤自磨，選用研磨液要與研磨晶片的研磨液相同的磨料進(jìn)行，每次修盤時(shí)間10分鐘左右即可。只有這樣才能保證在研磨時(shí)晶片表面不受損傷，達(dá)到理想的研磨效果。
　　拋光前要檢查拋光布是否干凈，拋光布是否粘的平整，一定要干凈平整。進(jìn)行拋光時(shí)，拋光液的流量不能小，要使拋光液在拋光布上充分飽和，一般拋光時(shí)間在一小時(shí)以上，期間*好不停機(jī)，因?yàn)橥C(jī)，化學(xué)反應(yīng)仍在進(jìn)行，而機(jī)械摩擦停止，造成腐蝕速率大于機(jī)械摩擦速率，而使晶片表面出現(xiàn)小坑點(diǎn)。推薦您使用本公司生產(chǎn)的循環(huán)攪拌泵及濃縮拋光液。
　　 設(shè)備的清洗非常重要，清洗是否干凈將直接影響磨、拋晶片的質(zhì)量。每次研磨或拋光后，都要認(rèn)真將設(shè)備里外清洗干凈。載料塊支架上的支撐輪在轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，磨料容易進(jìn)入輪 內(nèi)，所以每次使用之前，一定要用毛刷將支撐輪縫隙殘留磨料刷干凈，使支撐輪轉(zhuǎn)動(dòng)自如。保證磨、拋晶片的平整度.
沖洗設(shè)備時(shí)水流不易太大，以免水進(jìn)入機(jī)殼內(nèi)部引起電線短路。
如果您的設(shè)備長(zhǎng)期不使用時(shí)，要將設(shè)備清洗干凈并擦干水跡，在鑄鐵盤上涂滿機(jī)油，以免生銹。